DDR4 — здесь и сейчас

Компания Samsung объявила об успешном завершении работ по созданию первого в индустрии модуля оперативной памяти стандарта DDR4. Он изготовлен по нормам 30-нано – метрового технологического процесса и функционирует на частоте 2133 МГц. Пониженное до 1,2 В напряжение питания и фирменная технология Pseudo Open Drain (POD) положительным образом сказались на энергопотреблении, сократив его почти вдвое: новый модуль памяти расходует в среднем на 40% меньше электроэнергии во время чтения и записи данных по сравнению с продуктами предыдущего стандарта — DDR3. Рабочие частоты модулей DDR4 варьируются в диапазоне от 1600 до 3200 МГц. При этом скорость передачи данных может достигать 2,133 Гбит/с при напряжении 1,2 В, в то время как у памяти DDR3, производимой по тем же нормам (30 нм), этот показатель составляет 1,6 Гбит/с при напряжении 1,35 или 1,5 В. Окончательно утвердить спецификации для стандарта DDR4 удастся только во второй половине текущего года, массовое же производство новых модулей удастся начать только в 2012 году. Тогда же новая память поступит в продажу.

Вы можете оставить комментарий, или Трекбэк с вашего сайта.

Оставить комментарий

Разработка NewWpThemes.com  |  Перевод Vertony - WebTheme.ru